Рабочие процессы при закрывании транзистора
Процесс образования вторичного напряжения в контактно-транзисторных системах зажигания имеет некоторые отличия от аналогичного процесса в контактных системах. Это отличие обусловлено тем, что процесс закрывания силового транзистора зависит от многих факторов: параметров катушки зажигания, типа силового транзистора и примененных схем включения.
Основными параметрами, определяющими время закрывания транзистора, являются граничная частота усиления и сила запирающего тока базы. Последняя при наличии активного запирания определяется схемой включения. Поэтому необходимо стремиться для уменьшения времени закрывания транзистора (а следовательно, и повышения вторичного напряжения системы) применять высокочастотные транзисторы.
С увеличением емкости первичной цепи уменьшаются потери энергии в транзисторе, а значит, увеличивается вторичное напряжение. Так же, как и для контактной системы зажигания,эта зависимость имеет свой максимум. Оптимальное значение емкости первичной цепи C1 = 0,5...2 мкФ.
После закрытия транзистор переходит в режим отсечки и начинается колебательный процесс обмена энергией между магнитным и электрическим полями катушки зажигания и конденсатором.
Потери энергии в транзисторе приводят к снижению рабочих и пусковых характеристик системы зажигания. Они зависят от параметров первичной цепи и носят нелинейный характер.